CZ-Si单晶中流动图形缺陷的本性探究

作者：乔治; 刘彩池; 张彦立; 史严

来源：半导体技术, 2006, (04): 257-259.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2006.04.005

• CZ-Si
• 流动图形缺陷(FPDs)
• 空洞型缺陷 CZ-Si
• flow pattern defects(FPDs)
• void-type defects

CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验发现,FPDs外形如抛物线,在硅片中呈内高外低分布,并且在其顶端附近还存在一单型或双型的八面体空洞,其尺寸、结构及类型与COPs、LSTDs缺陷都非常相似。所有这些都表明,FPDs为空洞型缺陷。本次实验结果将有助于对空洞型缺陷本性及其消除机制的进一步研究。

• 单位
  石家庄铁道学院; 河北工业大学