厚度对钇掺杂氧化铪薄膜性质的影响

作者：赵鹏; 周大雨^*; 孙纳纳

来源：中国陶瓷, 2019, 55(08): 61-65.

DOI：10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2019.08.011

• HfO2薄膜
• 厚度
• 成分
• 相结构
• 电性能

通过中频磁控溅射在p型(100)硅基片上沉积了不同厚度的Y掺杂Hf O2(Y∶HfO2)薄膜。利用X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜的Y掺杂浓度及元素结合状态。掠入射X射线衍射(GIXRD)分析表明,3.25 mol.%的Y掺杂HfO2薄膜相结构为立方相。利用X射线反射率(XRR)测量得到了不同溅射时间的薄膜厚度、密度和粗糙度。电性能测试表明,Y掺杂HfO2薄膜基电容器介电常数随膜厚的增大而增大。基于界面层分压原理,详细讨论了SiO2界面层对薄膜介电特性的影响。

• 单位
  大连理工大学