考虑寄生参数的高压GaN功率放大器漏极调制电路分析（英文）

作者：陈晓青; 成爱强; 朱昕昳^*; 顾黎明; 唐世军

来源：Transactions of Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, 2022, 39(05): 521-529.

DOI：10.16356/j.1005-1120.2022.05.002

• 漏极调制
• 氮化镓
• 高压
• 功率放大器
• 寄生电感
• N-MOS驱动

提出了一种适用于高压高功率GaN功率放大器的漏极调制电路。采用高压自举驱动电路并增加泄放开关管的方式以减小上升时间和下降时间。基于对寄生参数影响的分析及计算，提出了并联加电线的措施。此外，定量计算了提供脉冲大电流所需的储能电容容值。为了确保功率放大器的安全运行，提出了死区控制电路及时序控制电路。搭建了一台实验样机验证所提漏极调制电路设计的有效性，实验结果表明该样机的上升时间和下降时间均小于100 ns。