500 V高压平面功率VDMOS场效应晶体管结构参数优化

作者：李媛^*; 周涛; 焦书豪

来源：渤海大学学报(自然科学版), 2018, 39(03): 263-268.

DOI：10.13831/j.cnki.issn.1673-0569.2018.03.012

• 击穿电压
• 工艺仿真
• 转移特性
• 输出特性

击穿电压是VDMOS器件的重要构造参数之一,它和漏极最大电流IDMAX一同限制了该器件的运转范围.由于击穿电压的范围随功率器件运用范围的不同而出现较大差异,故本文利用Silvaco-TCAD的仿真平台对设定击穿电压为500 V的VDMOS进行结构参数设计与优化.首先对VDMOS设计出合适的外延层参数即外延层掺杂浓度NB和外延层厚度We;然后用ATHENA软件对VDMOS进行工艺仿真,得出结果:对VDMOS进行提取的各结构参数与预计相符;最后又通过ATLAS软件对VDMOS的转移特性,击穿特性及输出特性进行仿真,得到的阈值电压及击穿电压与所要求的数值吻合.因此,通过对500 V VDMOS结构参数的优化和改进,从而实现高性能VDMOS器件的高可靠性.

• 单位
  渤海大学