具有缺陷地结构的低耦合阵列天线设计

作者：王新延; 高振斌; 郑宏兴^*

来源：河北工业大学学报, 2021, 50(01): 37-43.

DOI：10.14081/j.cnki.hgdxb.2021.01.005

• 阵列天线
• H面耦合
• 缺陷地结构
• 包络相关系数

基于缺陷地结构设计了一款低耦合阵列天线,该天线工作频率为5.8 GHz,整体尺寸为45 mm×55 mm×1.52 mm。缺陷地结构呈左右两侧带有锯齿的条状,组成2×1阵列的形式加载至接地表面。在天线阵元边到边间距为0.050 2λ0的前提下,天线在5.8 GHz处的耦合度降低了28.8 dB,主瓣增益提升了0.3 d B,同时天线尺寸减小了0.57 mm,包络相关系数低于0.03,满足S11<-10 dB的工作带宽有170 MHz (5.722～5.892 GHz)。结果表明该缺陷地结构可以有效地抑制沿H面放置的天线表面波传播,改善天线阵元间的互耦。

• 单位
  河北工业大学; 电子信息工程学院