针对RSA-CRT数字签名的光故障攻击研究

作者：王红胜; 纪道刚; 张阳; 陈开颜

来源：电子设计工程, 2015, 23(06): 12-15.

DOI：10.14022/j.cnki.dzsjgc.2015.06.004

• 密码芯片
• 数字签名
• RSA-CRT
• 光故障攻击
• Montgomery乘

通过研究密码芯片SRAM存储单元构造,利用激光改变进行运算的SRAM存储单元的逻辑状态,分析光注入对SRAM存储单元的影响。以Montgomery乘的RSA-CRT数字签名算法为攻击对象,分析其算法的实现过程和故障注入机理。针对密码芯片实现的8位RSA-CRT签名算法,使用半导体激光作为注入光源,搭建光注入实验平台,在计算Sq时刻进行故障注入,从而得到故障签名,通过分析故障签名与N的关系,成功的获得了大素数q,验证了光故障攻击的有效性。

• 单位
  中国人民解放军陆军工程大学