摘要

以自制的CeF3粉体为原料,在真空碳管炉中采用温度梯度法制备了CeF3晶体。通过X射线衍射(XRD)、扫描式电子显微镜(SEM)、能谱分析(EDS)等分析方法对不同影响因素下的产物进行表征,CeF3晶体进行镀膜实验,并对所得膜层进行光学性能测试。结果表明:采用钨坩埚,在1×10-2Pa真空度下1500℃保温1 h,以100℃·h-1的温度梯度降温,可制备得结晶性能良好的CeF3晶体。添加NH4HF2作为脱氧剂可以使产物中氧含量从0. 54%(质量分数)降低到0. 1%。采用两种氧含量的CeF3晶体分别进行镀膜实验,氧含量较低的晶体,其镀膜速率波动曲线较稳定,在±0. 05 nm·s-1之间波动,说明氧含量的降低可显著改善材料的蒸发特性;镀膜残余由发黑、发白、黑白过度三部分组成,其发黑部分氧含量最高为7. 92%。CeF3膜层性能测试表明,在波长为550 nm处,折射率为1. 6,吸收系数为3×10-4。

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