提高4H-SiC横向BJT电流增益的新思路

作者：邓永辉; 盛况; 谢刚

来源：半导体技术, 2013, (05): 342-346.

• 4H-SiC
• 横向BJT
• 电流增益
• 击穿电压
• 漂移区 4H-SiC
• lateral BJT
• current gain
• breakdown voltage
• drift region

为了获得4H-SiC横向BJT器件高耐压下的高电流增益,文中通过降低漂移区的掺杂浓度(NDRI),使得漂移区内靠近基极方向的电场强度降低,从而使集-基结在基区的耗尽大幅减小。通过对基区的优化,就可以在高耐压下获得高电流增益。仿真结果表明,当漂移区内的掺杂浓度(NDRI)为3.3 1016cm-3时,4H-SiC横向BJT器件可以在保持较高耐压(3 000 V以上)的同时,集-基结在基区的耗尽最少。当基区掺杂浓度(PB)为3 1017cm-3、厚度(WB)为0.25 mm时,获得耐压高于3 000 V、电流增益近400的4H-SiC横向BJT器件。

• 单位
  浙江大学