垒层Si掺杂对多量子阱InGaN绿光LED性能的影响

作者：郝锐; 马学进; 马昆旺; 林志霆; 李国强

来源：半导体光电, 2013, (02): 186-189+263.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2013.02.004

• 绿光LED
• InGaN
• 多量子阱
• Si掺杂
• 量子限制Stark效应 green LEDs
• MQWs
• Si-doping
• QCSE

InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著。对内建电场的屏蔽可以有效提高载流子的辐射复合效率。论文探讨了绿光多量子阱中垒层的Si掺杂对绿光器件性能的影响。研究发现,多量子阱中垒层适度Si掺杂(3.4×1016 cm-3)可以改善多量子阱结构界面质量和In组分波动,在外加正向电流的作用下更大程度地屏蔽极化电场;同时,还能够增强电流的横向扩展性,提高活化区的有效发光面积。然而,多量子阱中垒层的过度Si掺杂对于绿光LED器件的性能带来诸多的负面影响,比如加剧阱垒晶格失配、漏电途径明显增加等,致使器件光效大幅度降低...

• 单位
  发光材料与器件国家重点实验室; 华南理工大学