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摘要
二维过渡金属硫族化物（transition metal dichalcogenides,TMDs）因其优异的光电磁特性，在新型半导体器件应用领域中备受关注。随着研究的不断深入，人们已经获得了具有不同光电性能的单一TMDs材料，但为了进一步提升其性能以及获取更贴近实际应用的复杂器件，基于大面积TMDs异质结的研制迫在眉睫。由两层TMDs材料耦合构建的具有原子级清晰界面的异质结构，在弥补单一结构不足的同时展现出全新的物理性质，为TMDs的研究与未来应用发展，如“后摩尔时代”微电子器件，提供了良好的研究平台。然而，受限于可控制备的方法，TMDs异质结构的研究尚未能长足发展。相比于采用机械剥离法进行人工堆垛难以实现大面积规模化制备，发展化学气相沉积法（chemical vapour deposition,CVD）制备TMDs异质结至关重要。本文将对近年来CVD生长TMDs异质结领域的最新进展进行简单的介绍与总结，并对其未来前景进行了展望。
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单位山西大学; 量子光学与光量子器件国家重点实验室
