激光限制结晶技术制备nc-Si/SiO_2多层膜

作者：乔峰; 黄信凡; 朱达; 马忠元; 邹和成; 隋妍萍; 李伟; 周晓辉; 陈坤基

来源：Acta Physica Sinica, 2004, (12): 4303-4307.

• 脉冲激光
• 多层膜
• 限制结晶 pulsed laser
• multilayer
• constrained crystallization

在等离子体增强化学气相淀积系统中 ,采用a Si:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了a Si:H SiO2 多层膜 .在激光诱导限制结晶原理基础上 ,使用KrF准分子脉冲激光为辐照源 ,对a Si:H SiO2 多层膜进行辐照 ,使纳米级厚度的a Si:H子层晶化 .Raman散射谱和电子衍射谱的结果表明 ,经过激光辐照后纳米Si颗粒在原始的a Si:H子层内形成 ,晶粒尺寸可以根据a Si:H层的厚度精确控制 .还研究了样品的光致发光 (PL)特性以及激光辐照能量密度对PL性质的影响

• 单位
  固体微结构物理国家重点实验室; 南京大学