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摘要
日盲紫外探测在空间安全通信、臭氧空洞监测、导弹来袭告警等民用与军事领域有着广阔的应用场景和特定的市场价值。氧化镓(Ga2O3)具有超宽的带隙(4.4～5.3 eV)，几乎覆盖整个日盲波段，被认为是构筑日盲紫外探测器的理想材料之一。相较于单晶和外延氧化镓材料，非晶氧化镓(a-Ga2O3)的制备温度更低，工艺相对简单，且衬底的适用范围更广，因此近些年成为Ga2O3基日盲紫外探测领域新的研究热点。本文旨在对a-Ga2O3基日盲紫外探测器的研究进展与现状进行介绍。首先介绍了a-Ga2O3的基本特性以及几种常见的制备方法，进而介绍了各种适用的器件类型、结构及性能。目前，a-Ga2O3基日盲紫外探测器主要分为MSM型、结型、TFT型和阵列型等几大类，通过器件结构优化，进一步提升探测性能。其中，MSM型器件结构简单，响应度高，应用最为广泛；结型器件通过构建肖特基结和异质结等，具有响应速度快、暗电流低和自供电的特点；TFT型器件能够在抑制暗电流的同时放大增益，且可以通过施加栅压脉冲来提升响应速度；阵列型器件主要用于大面积成像。最后，本文对a-Ga2O3日盲紫外探测器未来的发展趋势进行了总结和展望。
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单位电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学
