压力传感器的硅玻静电键合

作者：张子鹤; 刘振华; 陈勇; 卢云

来源：世界科技研究与发展, 2011, (02): 268-270.

DOI：10.16507/j.issn.1006-6055.2011.02.033

• 压力传感器
• 静电键合
• 实验参数 pressure sensor
• electrostatic bonding
• experimental parameters

针对MEMS压力传感器封装关键技术,从结构仿真和工艺参数等方面研究了一款压力传感器的硅玻静电键合问题,旨在减小封接对压力传感器芯片输出性能的影响。设计并制作键合装置,进而完成实验,最终优化键合温度,电压等参数值,验证最佳温度350℃,理想电压范围500～900 V。

• 单位
  电子科技大学