针对传统场效应晶体管在某些领域上的局限性,提出一种导通类型可调且无掺杂的新型MOS场效应晶体管,可以在不同栅压条件下作为不同类型的MOS场效应晶体管使用,实现不同工作条件下由N-MOSFET到P-MOSFET的相互转换。新器件采用非单一控制栅设计,具有双侧对称浮动栅极结构,作为改变场效应管导通类型的的控制端。通过改变控制栅的电位高低来改变正向导通电流与反向漏电流的大小,实现更小的漏电流和更大的导通电流。通过仿真对新器件的工作情况展开分析,并对设计参数进行优化。
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