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摘要
本发明提供一种MOS器件结构及其制造方法,这种新的MOS器件结构,通过增加无离子注入区的结构来改变有源区的应力分布,并且该结构对浅槽隔离应力的灵敏度比传统MOS晶体管结构器件要低,有效地减少STI机械应力效应,所以对器件驱动电流、阈值电压和最大跨导的影响更小,改善了MOS器件特性。而且本发明提出的这种新MOS器件的制造方法,融合了MOS器件制造的现有技术,工艺难度降低,工艺费用节省,可广泛应用。
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单位上海集成电路研发中心有限公司; 华东师范大学
