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摘要
SnO2基紫外探测器具有较高的光响应度,但由于材料存在持续光电导效应,其响应时间较长,限制了其在光电探测领域的应用。为此,我们研究了表面修饰对SnO2基光电探测器件的性能影响。采用化学气相沉积的方法制备了高结晶质量的SnO2微米线,并在此基础上制备了基于单根SnO2微米线的光电探测器。同时制备了高质量的钙钛矿CH3NH3PbBr3材料,并与SnO2微米线结合制备出经过修饰的SnO2基器件。两种器件在紫外波段都呈现出明显的光响应,响应峰值位于250 nm处。相比单根SnO2微米线器件,经过修饰后的SnO2微米线探测器的响应度提高了10倍,响应时间由单根SnO2微米线器件的几百乃至上千秒缩短为0.9 s。这一研究结果说明我们所采用的方法非常有望应用到高性能SnO2光电探测器的制备中。
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