原位As掺杂p型碲镉汞薄膜的制备研究

作者：宋淑芳; 田震

来源：激光与红外, 2018, 48(12): 1500-1502.

• p型
• HgCdTe
• As掺杂

非本征p型掺杂碲镉汞材料可以有效克服少子寿命偏低等问题,提高长波和甚长波红外焦平面器件的性能。本文重点阐述了As掺杂实现p型掺杂的基础性原理,以及其制备方法,为p-on-n碲镉汞材料器件研究提供依据。

• 单位
  华北光电技术研究所