硅基底上外延生长过渡金属硅化物薄膜的研究

作者：王金良

来源：北京航空航天大学学报, 2005, (01): 1-4.

DOI：10.13700/j.bh.1001-5965.2005.01.001

• 固相反应
• 硅化物
• 薄膜生长
• X射线衍射
• 软X射线发射光谱 solid phase reactions
• silicides
• thin film growth
• X-ray diffraction
• soft X-ray emission spectroscopy

过渡金属与硅的接触系统一直被人们所关注 ,是因为它们在界面处具有肖特基势垒的形成、过渡金属硅化物的外延生长、制作器件的稳定和耐高温等重要性 .因此在硅基底上形成金属硅化物薄膜也被广泛应用于半导体工业 .对硅衬底上蒸发的Cr、Fe、Mn薄膜进行热处理 ,通过固相反应法 (SPR)制备过渡金属硅化物薄膜 ,即经过对过渡金属硅化物 (薄膜 ) Si系统进行各种温度、不同时间的热处理 ,制备出各种过渡金属硅化物薄膜 .对于制成的各种硅化物薄膜 ,用X射线衍射法 (XRD)和软X射线发射分光光谱法 (SXES)对它们的组成成分进行了分析和确认 .并且 ,由这两种分析方法表明 :各种过渡金属硅化物薄膜在...

• 单位
  北京航空航天大学