基于RST的SiGe/Si"或非"逻辑器件研究

作者：姜涛; 张鹤鸣; 戴显英; 舒斌; 胡辉勇; 王伟

来源：电子科技, 2004, (4): 22-24.

DOI：10.3969/j.issn.1007-7820.2004.04.007

• 异质结
• RST
• 耗尽层

文中通过利用耗尽层阻断沟道的方法,讨论了一种基于RST结构原理实现"或非"逻辑功能的器件结构.

• 单位
  西安电子科技大学