波长扩展InGaAs探测器的量子效率优化

作者：田招兵; 顾溢; 张晓钧; 张永刚

来源：半导体光电, 2008, (06): 851-854+972.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2008.06.012

• InGaAs
• 波长扩展
• 光伏探测器
• 量子效率 InGaAs
• wavelength extended
• photovoltaic detectors
• quantum efficiency

通过建立双异质结型InGaAs探测器光响应的理论模型,分别对正面和背面进光时InP基波长扩展In0.8Ga0.2As/In0.79Al0.21AsPIN探测器结构参数与光响应特性的关系进行了研究,模拟结果与采用GSMBE方法研制器件的实测数据吻合较好。此外,还提出了两种改良的背照射InGaAs探测器结构,并对其光响应特性进行了模拟计算,还基于模拟结果对器件结构参数进行了优化设计。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所