AlGaN基深紫外LED的外延生长及光电性能研究

作者：李路; 徐俞^*; 曹冰^*; 徐科

来源：人工晶体学报, 2022, 51(07): 1158-1162.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20220611.004

• AlN薄膜
• AlGaN材料
• 紫外LED
• 异质外延
• 纳米级孔洞

AlGaN基材料作为带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料，是制备紫外光电子器件的理想材料。在无法获得大尺寸、低成本的同质衬底的情况下，高质量AlN薄膜的异质外延是促进紫外光电子器件发展的关键。本文中，通过调节蓝宝石衬底上AlN的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长模式产生高密度纳米级孔洞，利用纳米级孔洞降低AlN的位错，并在此基础上外延了AlGaN量子阱结构，得到了275 nm波段的深紫外LED薄膜，并制备了开启电压约为4.8 V,反向漏电电流仅为2.23μA(-3.0 V电压时)的深紫外LED器件。

• 单位
  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 苏州大学