利用联苯丙二氨酸自组装纳米管,并以该纳米管为活性层,研究其忆阻性能。六个联苯丙二氨酸分子通过分子间氢键形成管状结构,这些管状结构通过范德华力结合形成多肽纳米管。银离子在外界电场的驱动下,在纳米管的内部孔洞中形成导电细丝,进而产生忆阻性能。制备成的忆阻器其开关电压较小(分别约为2 V和-2 V),工作温度范围为0~140℃。此外,纳米管忆阻器具有良好的抗机械耐久性,在弯曲半径为5 cm的机械应力下,纳米管忆阻器在数百次弯曲后仍保持稳定的忆阻性能。