利用联苯丙二氨酸自组装纳米管，并以该纳米管为活性层，研究其忆阻性能。六个联苯丙二氨酸分子通过分子间氢键形成管状结构，这些管状结构通过范德华力结合形成多肽纳米管。银离子在外界电场的驱动下，在纳米管的内部孔洞中形成导电细丝，进而产生忆阻性能。制备成的忆阻器其开关电压较小（分别约为2 V和-2 V），工作温度范围为0～140℃。此外，纳米管忆阻器具有良好的抗机械耐久性，在弯曲半径为5 cm的机械应力下，纳米管忆阻器在数百次弯曲后仍保持稳定的忆阻性能。
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