CdS/g-C3N4光催化复合材料的制备与研究

作者：光显军; 赵子龙; 贺世洁; 谈志鹏; 马元良^*

来源：工业技术创新, 2022, 9(06): 28-35.

DOI：10.14103/j.issn.2095-8412.2022.12.004

• 水热反应
• g-C3N4纳米片
• CdS/g-C3N4光催化复合材料
• 光生电子
• 罗丹明B

传统的g-C3N4光催化材料存在光生电子和空穴复合率高、可见光利用率低、量子效率低、比表面积小和内阻大等问题，光催化性能不佳。采用煅烧、水热反应等一系列方法，以g-C3N4纳米片为基底，将不同含量的CdS与g-C3N4纳米片复合，通过上转换作用和异质结的构建，制备得到具有不同配比CdS/g-C3N4光催化复合材料。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见分光光度计、BET等表征仪器或方法，对光催化复合材料的组成、微观形貌、比表面积以及光催化性质进行考察，并将罗丹明B视为污染物，对可见光下的降解性能进行分析。研究发现，7%CdS/g-C3N4光催化复合材料对罗丹明B的降解性能明显优于5%CdS/g-C3N4光催化复合材料和纯g-C3N4纳米片。研究结果表明，上转换作用、异质结构建等机制可切实起到降低光生电子和空穴复合率、提高可见光利用率，从而提高材料光催化速率的作用。

• 单位
  电子信息工程学院; 青海民族大学