AlGaN/GaN P-I-N紫外探测器的电子辐照效应

作者：白云; 邵秀梅; 张燕; 李向阳; 龚海梅

来源：激光与红外, 2007, (09): 867-869+873.

• AlGaN
• P-I-N
• 电子辐照
• MIS结构 AlGaN
• electron irradiation
• MIS structure

制备了Al0.1Ga0.9N/GaN异质结P-I-N结构可见盲正照射紫外探测器。用能量为0.8MeV的电子对器件依次进行注量为5×1014,5×1015和5×1016n/cm2的辐照。通过测量辐照前后器件的I-V曲线和光谱响应曲线,讨论了不同注量的电子辐照对Al0.1Ga0.9N/GaN异质结P-I-N器件性能的影响。实验表明,小注量的电子辐照对器件的反向暗电流影响不大,当电子注量≥5×1016n/cm2时才使器件的暗电流增大一个数量级。为了分析器件的辐照失效机理,制备SiN/GaN的MIS结构,并对其进行电子辐照,发现SiN/GaN之间的界面态随着电子辐照注量的增加而增加。这表明,器件的暗电...

• 单位
  传感技术国家重点实验室; 中国科学院上海技术物理研究所