基于MEMS工艺的硅基红外辐射源研制

作者：董晓辉; 吴传贵; 罗文博; 彭强祥; 唐志军

来源：电子元件与材料, 2011, (12): 42-44.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2011.12.017

• 红外辐射源
• 微机电系统
• 调制深度 infrared radiation source
• micro-electro-mechanical systems(MEMS)
• modulation depth

利用微机电系统(MEMS)制造工艺制备出了一种硅基红外辐射源。该辐射源采用单晶硅为衬底,通过直流溅射沉积Pt/Ti薄膜,并利用深反应离子刻蚀与湿法腐蚀工艺制备隔离槽和释放支撑层。研究了支撑层厚度对红外辐射源辐射特性的影响。结果表明,随着支撑层厚度的减小,红外辐射源的调制驱动电压会降低。当支撑层厚度为1μm时,辐射源调制频率在50%的调制深度下达13 Hz,其频响特性已基本满足红外传感器系统的应用要求。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学