科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本文利用Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED)强度振荡测量GaAs同质外延生长，发现其生长速率随生长厚度按一定指数函数关系衰减.这种衰减与GaAs表面形貌的变化密切相关，表面台阶数量的增加使层状生长模式由2D成核模式逐渐转变为台阶流模式.由于RHEED强度振荡所测的生长速率与表面的粗糙程度密切相关，表面情况改变对生长速率会有一定的影响，导致测量的生长速率逐渐的衰减.根据生长速率随生长厚度的增加而衰减的拟合曲线，可以获得一个准确的生长速率.
- 单位
