温度对SiO_2表面上磁控溅射制备Ge纳米点的生长模式和尺寸的影响

作者：夏中高; 王茺; 鲁植全; 李亮; 杨宇

来源：人工晶体学报, 2010, (04): 961-965.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2010.04.044

• 磁控溅射
• Ge纳米点
• SiO2薄膜 magnetron sputtering
• Ge nanodots
• SiO2 film

采用磁控溅射技术在SiO2/Si(100)表面上制备了一系列不同生长温度的Ge纳米点样品。原子力显微镜(AFM)的实验结果表明:不同衬底温度下Ge纳米点在SiO2薄膜上的生长模式和尺寸分布有所不同。当衬底生长温度达到500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成"Ge纳米点的Si窗口"。在此温度条件下,外延生长实验可获得尺寸均匀且密度高达3.2×1010cm-2的Ge纳米点。

• 单位
  云南大学