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摘要
InP基阵列近红外焦平面探测器的研发是近年来的热点，其器件性能的提升主要依赖于化合物半导体InP芯片的工艺优化。针对超薄InP晶圆在减薄抛光工艺过程中容易出现的形变、碎裂、损伤等问题，设计了一种临时键合及解键合工艺技术。结果表明，该技术成功实现了表面具有微观结构的超薄100 mm(4英寸)InP晶圆的临时键合及解键合，有效解决了减薄生产中碎片的问题，对芯片工艺优化具有重要的指导意义。
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单位中国电子科技集团公司第四十四研究所
