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摘要
本发明公开了一种叠栅GaN基MOS-HEMT器件及其制备方法。本发明的目的在于克服已有的GaN基MOS-HEMT器件栅介质层制备技术的缺陷,可以在保证器件栅极漏电、击穿耐压和栅极电压摆幅的前提下,减少栅介质层和外延层的界面缺陷和改善器件电流崩塌效应,保证器件的可靠性和动态性能。本发明第一栅介质层后采用氮气下退火,修复磁控溅射沉积高介电常数绝缘薄膜对异质结外延所带来的损伤,提高器件跨导和栅极控制能力,大幅减少栅极漏电。同时沉积第二栅介质层覆盖第一栅介质层,有效修复氮气退火带来器件击穿耐压退化的问题,提高栅极耐压和器件击穿耐压。
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