基于WO_x阻变材料的RRAM电路设计

作者：于杰; 张文俊; 焦斌

来源：固体电子学研究与进展, 2013, (02): 169-174.

• 阻变存储器
• WOx
• 可切换写电路
• 自调节读参考电路
• 位线限流模块 RRAM
• WOx
• PSWC
• SARC
• bit-line current limiter

采用HHNEC0.18μm标准CMOS工艺设计实现了多个1kb容量的阻变存储器电路。针对WOx阻变材料的操作特点,提出了可切换的写电路以及自调节的读参考电路,满足了单极(Unipolar)与双极(Bipolar)兼容操作需求的同时提高了读操作的成功率。引入位线限流模块解决了置位(set)过程需要字线限流的问题,进而可以实现包含‘0’和‘1’多位数据的并行写入。芯片采用高低两种电压设计,同时包含多种阵列尺寸结构的对比测试电路。

• 单位
  清华大学