FinFET器件结构发展综述

作者：熊倩; 马奎; 杨发顺^*

来源：电子技术应用, 2021, 47(01): 21-27.

DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.200512

• 场效应晶体管
• FinFET
• 器件结构
• 工艺

随着集成电路技术日新月异的发展,器件尺寸不断缩小,当场效应晶体管沟道缩短至22 nm以后,传统平面场效应晶体管不再满足发展的需求。FinFET是一种新型的三维器件,由于良好的性能目前被广泛研究应用。主要介绍了FinFET器件的基础结构以及基础工艺流程,以及在基础结构上所发展起来的一些改良后的FinFET器件结构。最后结合实际对未来FinFET器件结构的发展寄予展望。

• 单位
  贵州大学