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摘要
宽带隙半导体材料碳化硅(SiC)具有大的禁带宽度、高的临界击穿电场、高热导率、和高电子饱和漂移速度等优良的物理化学特性,适合制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体器件。SiC基功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)具有击穿电压高、特征导通电阻低、开关速度快、耐高温抗辐照等优势,在国防和民用领域有巨大的应用前景。对SiC材料和器件的研究已成为目前半导体材料和微电子技术领域的热点和前沿。本文重点围绕4H-SiC UMOSFETs的新型结构优化设计、关键工艺以及器件制备等方面展开工作,取得的主要研究成果如下： 1.建立了描述4H-SiC UMOSFETs特性和主要参数的解析表...
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