掺硼非晶硅薄膜的电阻不稳定性研究

作者：杨利霞; 吴志明; 李世彬; 蒋亚东; 朱魁鹏; 李伟; 廖乃镘

来源：半导体光电, 2008, (05): 705-708.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2008.05.022

• 氢化非晶硅
• 硼掺杂
• 噪声
• 等离子体增强化学气相沉积 a-Si∶H
• boron doping
• noise
• PECVD

以硅烷和硼烷为气相反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜。测试了不同样品电阻随测试时间的变化,以及光照和噪声对材料电学性质的影响。结果表明,刚制备出来的样品存在氧化现象,长时间光照会出现S-W效应,由于RTS噪声的存在,样品电阻会出现随机性波动。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 光电信息学院; 电子科技大学