一种Si衬底上InGaN纳米柱@Ti-Ni纳米粒子复合结构及其制备方法与应用

作者：李国强; 林静; 余粤锋; 张志杰

来源：2019-12-10, 中国, ZL201911259096.2.

本发明属于催化剂领域,具体公开了一种生长在Si衬底上InGaN纳米柱@Ti-Ni纳米粒子复合结构及其制备方法与应用。该复合结构包括Si衬底以及生长在Si衬底上的InGaN纳米柱@Ti-Ni纳米粒子复合材料。本发明制备的Ti-Ni双金属纳米结构助催化剂具有更佳的可调性和协同效应,能增强InGaN纳米柱光生载流子分离与转移效率,提高反应活性位点,显著提高InGaN纳米柱的光电转换效率；同时,该制备方法工艺简单、成本低,为其它半导体复合催化材料的制备提供了一种新型的思路。最后,本发明公开的Si衬底上InGaN纳米柱@Ti-Ni纳米粒子复合材料,禁带宽度在0.67～3.4eV范围可调,具有较大的比表面积,对太阳光有较强的吸收,适用于光电解水产氢。

• 单位
  华南理工大学