1700V碳化硅MOSFET设计

作者：黄润华; 陶永洪; 柏松; 陈刚; 汪玲; 刘奥; 卫能; 李赟; 赵志飞

来源：固体电子学研究与进展, 2014, 34(06): 510-513.

• 4H型碳化硅
• 金属氧化物半导体场效应晶体管
• 终端保护
• 界面态

设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于1A,击穿电压高于1 800V。