Pb1-xSmxZr0.52Ti0.48O3压电陶瓷的结构与电学性能

作者：李向东; 张军; 任奕菲; 肖建中; 吕根品^*

来源：电子元件与材料, 2021, 40(07): 643-648.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0230

• 压电陶瓷
• PZT
• 水热合成
• 掺杂
• 电学性能

采用水热合成法制备Pb1-xSmxZr0.52Ti0.48O3(PSxZT,x=0.00,0.01,0.02,0.03,0.04、0.05)粉体,并在1200,1240,1280及1320℃烧结得到不同微观结构的PSxZT陶瓷,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)对PSxZT陶瓷的物相组成及微观结构进行表征。通过测试PSxZT陶瓷的致密度、压电常数(d33)、相对介电常数(εr)及介质损耗(tanδ),研究Sm3+掺杂及烧结温度对PSxZT陶瓷物相组成、微观结构、压电及介电性能的影响。结果表明:通过水热合成法可以制备出四方相钙钛矿结构的PSxZT粉体;当烧结温度为1280℃,x=0.02时,PSxZT陶瓷具有最优综合电学性能:d33=232 pC/N,εr=735,tanδ=0.18。

• 单位
  华中科技大学