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摘要
生活中常见的各类非易失性存储设备大部分使用的是闪存(Flash),其数据的存储是利用浮栅电荷存储技术改变MOS管的阀值特性来实现的[1]。由于MOS结构Flash自身特点和工作原理的限制,导致数据存储的密度和速度很难有新的突破,因此,我们提出在规律性施加应力变量具有压阻效应的纳米结构场效应管,且对应力变量具有非易性的记忆,基于纳米器件的阻值变化来实现二进制数据的存储,也可在特定的电场或高电压下清除纳米材料记忆的应力信息,恢复到其初始的阻值。
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生活中常见的各类非易失性存储设备大部分使用的是闪存(Flash),其数据的存储是利用浮栅电荷存储技术改变MOS管的阀值特性来实现的[1]。由于MOS结构Flash自身特点和工作原理的限制,导致数据存储的密度和速度很难有新的突破,因此,我们提出在规律性施加应力变量具有压阻效应的纳米结构场效应管,且对应力变量具有非易性的记忆,基于纳米器件的阻值变化来实现二进制数据的存储,也可在特定的电场或高电压下清除纳米材料记忆的应力信息,恢复到其初始的阻值。
