4H-SiC沟槽结势垒二极管研制

作者：汤益丹; 董升旭; 杨成樾; 郭心宇; 白云^*

来源：电工电能新技术, 2018, 37(10): 22-38.

• 4H-SiC
• 沟槽结势垒二极管
• 主结
• 耐压特性

优化设计了1200V 4H-SiC沟槽结势垒二极管(TJBS)主结处的沟槽结构,将主结范围内间隔刻槽的槽下、槽间进行P型注入形成结势垒,纵向增加了结势垒面积,从而在反向时可以有效利用主结承担更多电压,并有利于反向时耗尽区向终端区的扩展。通过Silvaco二维仿真软件对主结处的沟槽结构进行优化设计,其优化结构仿真击穿电压高达1843V。并实际制作了此优化结构TJBS,结果表明其反向击穿特性优于传统沟槽结构。

• 单位
  中国科学院大学; 中国科学院微电子研究所