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摘要
本发明公开了一种基于物理打磨粗化ITO层的GaN高效发光二极管及其制备方法,主要解决现有ITO粗化过程工艺复杂且发光效率低的问题。其自下而上包括：蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、InxGa1-xN/GaN多量子阱层(4)、AlzGa1-zN电子阻挡层(5)、p型GaN层(6)、打磨粗化的氧化铟锡ITO层(7)和电极(8),该打磨粗化的方式是采用金刚石砂纸打磨,打磨粗化后的表面粗糙度为10-100nm。本发明简化了ITO层粗化工艺,提高了发光二极管的效率,可用于照明、生物、医疗、防伪鉴定、净化和数据存储。
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