基于Si3N4探针的单晶硅表面小线宽结构的摩擦诱导纳米加工

作者：姚洋洋; 陈磊; 郭剑; 钱林茂

来源：上海大学学报(自然科学版), 2014, 20(06): 669-679.

• 摩擦诱导纳米加工
• 选择性刻蚀
• 氮化硅探针
• 单晶硅

针对传统纳米加工方法存在的操作复杂和成本昂贵等问题,提出采用以表面自然氧化层作为掩膜,结合Si3N4探针扫描和KOH溶液后续选择性刻蚀的摩擦诱导纳米加工方法.基于针尖半径对加工线宽影响的规律,实现了单晶硅表面较小线宽沟槽结构的加工.在此基础上,通过研究沟槽深度随刻蚀时间的变化规律,确定了最佳的刻蚀加工时间,并详细研究了载荷以及针尖扫描次数对表面沟槽结构加工的影响规律.该方法无需专门制备掩膜,操作简单,有望应用于加工功能表面织构、表面微阀、微反应器及单电子器件等,为纳米结构的加工提供了新途径.

• 单位
  牵引动力国家重点实验室; 西南交通大学