低电阻GaN基太赫兹空气桥结构平面肖特基二极管

作者：姚婉青; 刘红辉; 柳月波; 张佰君

来源：半导体技术, 2021, 46(09): 701-711.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.09.007

• 太赫兹
• 肖特基二极管
• GaN
• 截止频率
• 空气桥

提出了通过增大欧姆接触电极包围角提高GaN基太赫兹肖特基二极管的截止频率的方法,该方法减小了空气桥结构平面肖特基二极管的串联电阻,进而提高了器件的截止频率。设计并制备了不同欧姆接触电极包围角的空气桥结构平面肖特基二极管,通过对器件I-V特性及C-V特性的测量,可知随着欧姆接触电极包围角的增大,肖特基二极管的串联电阻减小,而肖特基二极管的总电容并没有受影响。欧姆接触电极全包围结构的肖特基二极管截止频率为264 GHz,约为欧姆接触电极包围角为180°器件的1.6倍。

• 单位
  中山大学; 光电材料与技术国家重点实验室