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摘要
本发明意在公开一种基于金刚石基图形衬底的大功率氮化物发光二极管,主要解决现有金刚石衬底上外延氮化物半导体发光二极管晶格质量差、平片衬底出光效率低、大功率发光二极管器件散热不足及制备工艺复杂的问题。其自下而上为图形化金刚石衬底层,氮化硼插入层,氮化物材料成核层,氮化物缓冲层,n型Ⅲ族氮化物材料层,该n型Ⅲ族氮化物材料层的左上部依次为Ⅲ族氮化物材料量子阱层,p型Ⅲ族氮化物材料层,透明导电层和金属电极层,右上部为金属电极层。本发明利用图形化金刚石衬底,提高了衬底的导热能力和光提取效率及材料的晶体质量,利用在衬底上增设的氮化硼插入层,避免了键合工艺,简化了器件制备过程,可用于大功率的照明、显示及背光。
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