双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究

作者：周文政; 林铁; 商丽燕; 黄志明; 朱博; 崔利杰; 高宏玲; 李东临; 郭少令; 桂永胜; 褚君浩

来源：Acta Physica Sinica, 2007, (07): 4143-4147.

• SdH振荡
• 二维电子气
• FFT分析
• 自洽计算

研究了基于InP基的In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubnikov-deHaas(SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrdinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上.

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 华东师范大学; 中国科学院半导体研究所; 广西大学