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摘要
针对WIFI 6E频段的设备需求，设计了一款工作在5.9 GHz～7.2 GHz的宽带砷化镓异质结双极型晶体管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器为三级放大拓扑结构，采用自适应偏置电路结构解决HBT晶体管在大功率输入下偏置点变化及自热效应引起增益及线性度恶化的问题。测试结果表明，在5.9 GHz～7.2 GHz频段内，功率放大器增益>27 dB，输出饱和功率>1 W，附加效率>24 %，芯片面积：1.24 mm×1.27 mm。
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单位中国电子科技集团公司第二十四研究所
