电沉积层中Cr-O-C界面影响Cu/Ni复合体脱模的分子动力学模拟

作者：杨光^*; 陈菊; 张玉周; 王沁峰; 田振岐; 胡正晨

来源：中国有色金属学报, 2023, 33(02): 565-576.

• 力学性能
• 位错
• 弱连接
• 变形
• 分子动力学

由于电沉积中基底和镀层存在结合力，脱模过程中，微观撕裂不可避免，因此，镀层的最终表面质量受界面结合力的影响。而Cr离散晶核形成的Cr-O-C界面可以起到很好的辅助脱模作用。由于微观撕裂难以原位观察，撕裂过程和Cr离散晶核的辅助脱模机理都尚未完全了解。为此，本文利用分子动力学方法对比研究了包含Cr-O-C界面的Cu/Ni复合体和Cu/Ni双金属的拉伸变形。结果表明：Cu/Ni双金属界面对于变形过程中位错传播具有阻碍作用，使材料抵抗塑性变形的能力得到提高。Cr-O-C界面弱化了Cu/Ni复合体强度，最大应力下降达80.68%。Cu/Ni双金属的断口在Cu基体上，断裂之前Cu基体发生明显的塑性变形。Cr-O-C界面减少了Cu/Ni界面的失配位错数量和键合密度，降低了界面强度，Cu/Cr-O-C/Ni复合体断口在界面处，断裂之前没有明显的塑性变形。

• 单位
  集美大学