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摘要
高功率脉冲磁控溅射技术（HiPIMS）是最新一代磁控溅射技术，高度离化的脉冲等离子体是HiPIMS技术的核心特征。针对HiPIMS放电轮辐特征，评述特征放电下HiPIMS等离子体测量、模拟及对薄膜生长作用的最新研究进展。较之常规磁控溅射技术，HiPIMS溅射靶材粒子高度离化，等离子体阻抗显著降低。等离子体在靶材表面形成以千米每秒速度旋转漂移的致密等离子体结构，存在局域化和自组织特征，可显著影响沉积粒子输运行为，为沉积薄膜生长提供一个新的控制维度。HiPIMS放电轮辐一般呈现扩散形和三角形两种形态，通过介绍轮辐变化规律、形成机制的进展，明确靶材溅射产额也对其形态有影响。另一方面，HiPIMS轮辐结构结合其脉冲放电特点，可控制薄膜沉积通量输运特征，进而影响沉积薄膜的微结构、表面粗糙度等表面完整性参数。具有微秒到毫秒跨尺度多级脉冲调节能力的高功率调制脉冲磁控溅射（MPPMS）和高功率深振荡脉冲磁控溅射（DOMS），脉冲控制跨时间尺度特性带来的轮辐特征可剪裁性，为在更大时间和空间维度上薄膜生长控制提供了可能性。
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