具有宽安全工作区的压接式IGBT芯片研制

作者：王耀华; 高明超; 刘江; 冷国庆; 赵哿; 金锐; 温家良; 潘艳

来源：固体电子学研究与进展, 2018, 38(02): 132-135.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2018.02.006

• 绝缘栅双极晶体管
• 压接
• 反偏安全工作区
• 短路安全工作区

针对柔性直流输电关键装备高压直流断路器的特殊需求,基于现有工艺平台开发了一款宽安全工作区的3 300V/50A压接式IGBT芯片。为降低24 ms过电流冲击过程中的芯片温升,纵向采用非穿通结构。同时,采用阶梯栅氧结构,引入第二雪崩区,降低动态闩锁发生的风险,提高器件的安全工作区。为适用于压接封装,开发了厚金属电极工艺,实现对压力的缓冲。将此结构流片验证,并进行模块级测试,芯片可在1 800V电压下达到6.5倍以上额定电流安全关断,短路电流可在20μs内安全关断,具有宽安全工作区水平。

• 单位
  全球能源互联网研究院