B位掺杂Sn对BNT-BLZT陶瓷电学行为的影响

作者：曹静; 王永锋

来源：铸造技术, 2018, 39(07): 1436-1446.

DOI：10.16410/j.issn1000-8365.2018.07.012

• 无铅反铁电材料
• 能量储存性能
• P-E电滞回线

采用固相反应制备无铅反铁电陶瓷[(Bi1/2Na1/200.92Ba90.05)La0.02][SnxZr0.95-xTi0.05]O3,研究了材料的相结构、介电及储能性能。结果表明,随着Sn含量增加,晶粒尺寸变化不大,但该材料介电损耗整体呈减小趋势,并且TF-R向低温区移动。Sn元素的加入对提高该材料的储能性能效果明显,当Sn加入量超过0.06时,出现双电滞回线,说明Sn元素对该体系材料电学性能有一定的优化作用。

• 单位
  西安航空学院