摘要

用磁控反应溅射 (RF)的方法制备了SiNx 薄膜 分析了以硅为靶材 ,用N2 /Ar做溅射气体条件下不同的气流比率、总气压以及沉积速率对薄膜光学常数和表面结构形态的影响 ,得出较低总气压下气流比率对薄膜光学常数的影响是最关键的 ,而总气压较大的时候 ,水汽影响增大 ,气流比率的影响反而不明显 最后提出了合适的工艺条件来制备符合要求的SiNx 薄膜

  • 单位
    现代光学仪器国家重点实验室; 浙江大学