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摘要
随着器件尺寸的日益缩小,基于迁移率的传统载流子输运模型已不能很好地适用。以肖特基势垒遂穿晶体管[SBTT]为研究对象,用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法建立了纳米尺寸器件中的载流子弹道输运模型,并得出了当沟长小于10 nm,一定沟长的源漏电流与源漏电压的特性曲线,以及在一定的源漏电压下,沟长与源漏电流的特性曲线。
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随着器件尺寸的日益缩小,基于迁移率的传统载流子输运模型已不能很好地适用。以肖特基势垒遂穿晶体管[SBTT]为研究对象,用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法建立了纳米尺寸器件中的载流子弹道输运模型,并得出了当沟长小于10 nm,一定沟长的源漏电流与源漏电压的特性曲线,以及在一定的源漏电压下,沟长与源漏电流的特性曲线。
